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产品信息
简单描述：
设备用途：用于半导体器件工艺中氮化硅、二氧化硅、多晶硅的薄膜制备。
设备特点：设定自动完成，可另配特气柜。真空系统可选配进口机组。
LPCVD化学相沉积设备参数：
设备特点：设定自动完成，可另配特气柜。真空系统可选配进口机组。
主要技术指标：
★制备3-4吋氮化硅、多晶硅和二氧化硅薄膜
★温度400-900℃
★恒温区600 mm±0.5℃
★真空系统机械泵+罗茨泵,配有抽气冷井
★控温器采用进口5吋触摸屏
★通入气体SiH4、NH3和N2
★进口质量流量计控制
★阀门用进口气动阀和减压阀
★动作顺序为PLC编程控制
★薄膜压力控制器加阀闭环控制压强。